オプトエレクトロニクス素子

专利摘要:
本発明は、少なくとも１つの金属体（１５）と積層体（１７）とを備えているオプトエレクトロニクス素子（１０）に関し、積層体（１７）は、基体（１１）に貼り付けられており、電磁放射を放出するように設計されており、側面の少なくとも１つに絶縁部（１２）が形成されている。少なくとも１つの金属体（１５）は、絶縁部（１２）の少なくとも一部分に形成されており、基体（１１）に熱伝導的に接触しているように設計されている。
公开号:JP2011507285A
申请号:JP2010538326
申请日:2008-12-04
公开日:2011-03-03
发明作者:ジークフリート ヘルマン
申请人:オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ；
IPC主号:H01L33-64

专利说明:

[0001] 本特許出願は、独国特許出願第１０２００７０６１４８０．４号および独国特許出願第１０２００８０１１８０９．５号の優先権を主張し、これらの文書の開示内容は参照によって本特許出願に組み込まれている。]
背景技術

[0002] 特許文献１には、薄膜技術を使用する半導体チップと、半導体チップの製造方法とが開示されている。活性層列および下地層から成る層の集合体を基板の上に配置する。さらには、層の集合体に、補強層および補助キャリア層を追加し、これら補強層および補助キャリア層は、基板を除去する前に下地層に電気めっきによって形成する。除去された基板の側には、層の集合体から形成されている半導体チップのハンドリングを目的とする膜がラミネートされている。]
[0003] さらには、特許文献２には、半導体チップと２つの外部接続部とを備えており、外部接続部が膜に取り付けられている、表面実装可能な半導体部品、が開示されている。]
先行技術

[0004] 独国公開特許出願第１００４０４４８号明細書
独国公開特許出願第１０２３４９７８号明細書
国際公開第９８／１４９８６号パンフレット]
発明が解決しようとする課題

[0005] 本発明の目的は、できる限り効率的に使用できるオプトエレクトロニクス部品を提供することである。]
課題を解決するための手段

[0006] この目的は、独立特許請求項の特徴によって達成される。本発明の有利な実施形態は、従属請求項の主題である。]
[0007] 本発明は、少なくとも１つの金属体と積層体とを備えているオプトエレクトロニクス部品であって、積層体が、基体の上に貼り付けられており、電磁放射を放出するように具体化されており、少なくとも１つの側面領域に絶縁部（insulation）が形成されており、少なくとも１つの金属体が、絶縁部の少なくとも一領域に形成されており、自身が基体に熱伝導的に接触しているように具体化されている、オプトエレクトロニクス部品、を有利に含んでいる。]
[0008] 電磁放射が放出されるように本オプトエレクトロニクス部品に電流が印加されている間、一般には必ず熱も発生し、特に高電流用途におけるオプトエレクトロニクス部品の場合、この熱によって発光効率が低下し、動作寿命が減少し、場合によってはオプトエレクトロニクス部品が壊れる。さらには、大量の熱が発生すると、放出される電磁放射の波長がシフトし、したがって色位置（color locus）が変動することがある。]
[0009] 基体は、電流が印加されたときに電磁放射を放出する積層体を貼り付ける目的で設けられている。基体の上には１つまたは複数の積層体を配置することができる。基体は、一般にはヒートシンクとして具体化されており、オプトエレクトロニクス部品の動作時に発生する熱を放散させるのに特に適しており、したがって、オプトエレクトロニクス部品それぞれを特に効率的に動作させることができる。熱を基体に特に良好に放散させ得るようにする目的で、本オプトエレクトロニクス部品は、基体と熱伝導的に接触している少なくとも１つの金属体を備えている。金属体によって短絡が形成されないようにする目的で、積層体の少なくとも１つの側面領域上に絶縁部が形成されており、この絶縁部は、電気絶縁性として具体化されていることが好ましく、例えばオプトエレクトロニクス部品を個片化するときに積層体を汚れに対して保護する。金属体は、オプトエレクトロニクス部品の１つまたは複数の側面領域に割り当てることができる。結果として、オプトエレクトロニクス部品それぞれの熱放散に関して生じる要求条件に応じて、特に適切な形態で熱を放散させることができ、本オプトエレクトロニクス部品を特に効率的に動作させることができる。]
[0010] 有利な一実施形態においては、絶縁部は、絶縁層として、または絶縁積層体として具体化されている。]
[0011] 結果として、金属体と積層体との間の電気絶縁を、特に信頼性の高い方法で確保することができる。さらには、積層体の汚れに対する高い信頼性の保護を、絶縁層または絶縁積層体によって確保することができる。]
[0012] さらなる有利な実施形態においては、絶縁層または絶縁積層体は、パッシベーション層もしくは少なくとも１つの空気層、またはその両方を有する。]
[0013] パッシベーション層として具体化されている絶縁層または絶縁積層体は、金属体によって短絡が形成されることがないように、電気絶縁性として具体化されていることが好ましい。さらには、このパッシベーション層は、例えばオプトエレクトロニクス部品を個片化するときに、汚れに対して積層体を保護する。]
[0014] パッシベーション層と積層体の間、もしくはパッシベーション層と金属体との間、またはこの両方には、空気層を配置することができ、したがって、金属体が積層体から電気的に絶縁され、したがって高い信頼性で短絡を回避することができる。]
[0015] さらなる有利な実施形態においては、金属体は、金属マスクとして具体化されている。]
[0016] 金属マスクは、オプトエレクトロニクス部品の積層体それぞれのためのカットアウトを有するように具体化されており、したがって、金属マスクとして具体化されている金属体が積層体を取り囲むことができる。金属マスクは、リング形状の金属体として具体化されていることが好ましい。このようにすることで、金属マスクを例えば積層体の各側面領域の絶縁部（絶縁層または絶縁積層体として具体化されている）に貼り付けることができ、したがって、積層体において発生する熱を基体に特に良好に放散させることができる。好ましくは、金属マスクは、積層体の集合体のための複数のカットアウトを有することができ、したがって、積層体の集合体に同時に貼り付けることができ、したがって、オプトエレクトロニクス部品それぞれを特に高いコスト効率で製造することができる。]
[0017] さらなる有利な実施形態においては、金属体が電解法によって作製される。]
[0018] 電解法によって、金属体が基体に熱伝導的に接触しているように、金属体を積層体の絶縁部それぞれに特に適切な形態で形成することができる。結果として、オプトエレクトロニクス部品の動作によって発生する熱を良好に放散させることができ、したがって、オプトエレクトロニクス部品を特に効率的に動作させることができる。]
[0019] さらなる有利な実施形態においては、基体とは反対側の積層体の表面の少なくとも一領域に、電流分散構造が形成されている。]
[0020] 電流分散構造は、一般には、オプトエレクトロニクス部品の積層体との電気的結合部を構成している。電流分散構造は、基体とは反対側の積層体の表面に、例えばフォトリソグラフィ法もしくは電解法、またはその両方によって形成することができる。この場合、電流分散構造は、オプトエレクトロニクス部品の動作時に供給される電流を積層体の中に特に一様に導き入れることができるように、積層体の表面それぞれの上に、例えば正方形構造または長方形構造として形成されており、したがって、オプトエレクトロニクス部品を特に効率的に動作させることができる。基体とは反対側の積層体の表面上にこのようにして具体化されている電流分散構造は、大電流用途向けの大面積オプトエレクトロニクス部品において特に適している。]
[0021] さらなる有利な実施形態においては、少なくとも１つの金属体が、電流分散構造と、オプトエレクトロニクス部品との電気接続を形成する電気接続領域とに、導電接触している。]
[0022] 金属体を、電流分散構造と、オプトエレクトロニクス部品との電気接続を形成する電気接続領域との間の導電接続部としてさらに利用することによって、本オプトエレクトロニクス部品を特に高いコスト効率で製造することができる。この場合、積層体の表面上の電流分散構造に金属体によって結合されている電気接続領域は、オプトエレクトロニクス部品の第２の電気接続領域を構成している。第１の電気接続領域は、一般には、積層体のうち基体側の面に割り当てられている。この場合、短絡が回避されるように、絶縁部それぞれが、第１の電気接続領域と第２の電気接続領域との間に電気絶縁性として配置されているように具体化されていることが好ましい。]
[0023] さらなる有利な実施形態においては、基体は、セラミック体として、不動態化されたシリコンボディとして、または不動態化された金属体として、具体化されている。]
[0024] 基体をこのように具体化することは、ヒートシンクとして、したがって、オプトエレクトロニクス部品の動作時に発生する熱を放散させるのに特に適している。ヒートシンクとして具体化されている基体を備えて製造されたオプトエレクトロニクス部品は、好ましい用途においては、本オプトエレクトロニクス部品を特に効率的に動作させることができるように、適切な熱伝導性材料から成る別のボディに基体が結合されるように配置することができる。一般には、導電性の基体を、熱伝導性として適切に具体化されるパッシベーション層によってコーティングし、この基体に積層体もしくは電気接続領域、またはその両方を形成することができる。]
[0025] さらなる有利な実施形態においては、少なくとも１つの金属体は、構成成分Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉのうちの少なくとも１つを備えている。]
[0026] このような材料は、特に、熱を放散させると同時に、電気導体としても適している。金属体が基体に適切に結合されていることによって、本オプトエレクトロニクス部品は、特に高いコスト効率で製造することができ、特に効率的に動作させることができる。]
[0027] さらなる有利な実施形態においては、少なくとも１つの金属体が、電磁放射を所定の放出方向に反射する反射器として具体化されている。]
[0028] 金属体は、積層体のハウジングとして、放出される電磁放射がその縁部によって所定の放出方向に確実に反射されるように、具体化することができる。金属体をこのように具体化することによって、オプトエレクトロニクス部品の放出特性を特に有利な方法でコントロールすることができる。このようにして具体化されるオプトエレクトロニクス部品は、高いコスト効率での製造と高い効率とにおいて際だっている。]
[0029] さらなる有利な実施形態においては、本オプトエレクトロニクス部品は、少なくとも１種類の蛍光体を備えている変換層を有し、この変換層は、基体とは反対側の積層体の表面の少なくとも一領域上に形成されており、少なくとも１つの金属体に熱伝導的に接触している。]
[0030] 変換層は、一般には、少なくとも１種類の蛍光体を備えている発光変換層として具体化されている。蛍光体は、オプトエレクトロニクス部品によって放出される電磁放射（この電磁放射を電磁一次放射と称することもできる）によって励起することができ、二次放射を放出する。この場合、一次放射および二次放射は、異なる波長範囲を有する。例えば、一次放射と二次放射の混合比を設定することによって、本オプトエレクトロニクス部品の所望の最終的な色位置を設定することができる。一般には、変換層は、シリコン、シロキサン、スピンオン材料、フォトパターニング可能な材料から成る群のうちの少なくとも１つの材料を備えている。少なくとも１種類の蛍光体は、例えば、有機蛍光体である、もしくは一部分がナノ粒子として存在する、またはその両方である。]
[0031] 蛍光体は、特に、紫外線の一次放射の場合、一次放射によって励起されることに起因して極めて高温になることがあり、したがって、変換層が高温に加熱される。このような変換層に金属体が熱伝導的に結合されていることによって、変換層において発生する熱を、ヒートシンクとして具体化されている基体に特に良好に放散させることができ、したがって、本オプトエレクトロニクス部品を特に効率的に動作させることができる。さらには、色位置の変動を防止することができ、したがって、オプトエレクトロニクス部品の放出特性を特に有利な方法でコントロールすることができる。]
[0032] 以下では、本発明の例示的な実施形態について、概略的な図面を参照しながらさらに詳しく説明する。]
図面の簡単な説明

[0033] オプトエレクトロニクス部品の概略的な断面図を示している。
オプトエレクトロニクス部品のさらなる概略的な断面図を示している。
オプトエレクトロニクス部品のさらなる概略的な断面図を示している。
オプトエレクトロニクス部品の概略的な平面図を示している。
金属マスクを有するオプトエレクトロニクス部品のさらなる概略的な断面図を示している。
複数のオプトエレクトロニクス部品の集合体の概略的な図を示している。]
実施例

[0034] 例示的な実施形態および図面において、同じ構成部分、または機能が同じである構成部分には、それぞれ同じ参照記号を付してある。図示した構成部分と、構成部分の互いのサイズの関係は、正しい縮尺ではないことを理解されたい。より深く理解できるようにする目的で、図面のいくつかの細部はサイズを誇張して描いてある。]
[0035] 図１は、例えば発光ダイオードとして具体化されているオプトエレクトロニクス部品１０を示している。このオプトエレクトロニクス部品１０は基体１１を備えており、この基体１１は、例えばセラミック体として、不動態化された金属体として、または不動態化されたシリコンボディとして、具体化されている。基体１１は、低い熱伝導抵抗を有するヒートシンクとして具体化されていることが好ましく、一般には、小さい厚さ（例えば１００μｍ）を有し、この結果として、オプトエレクトロニクス部品の小さな構造高さを達成することができる。特に、基体は膜である。基体１１は、積層体１７のキャリアとしての役割を果たし、積層体１７は、電流が印加されたときに電磁放射を放出するように具体化されている。積層体１７は、例えば薄膜層として具体化されている。] 図１
[0036] 薄膜層は、例えば、窒化物化合物半導体材料をベースとしており、電磁放射を放出するのに適している少なくとも１つの活性領域を有する。電磁放射は、例えば、青色スペクトルもしくは紫外スペクトル、またはその両方からの波長を有する。この場合、積層体１７は、一般には個別の成長基板の上に成長させた後、成長基板から除去し、基体１１に貼り付ける。除去するステップは、例えば特許文献３から公知であるレーザー除去法によって行うことができ、この文書のこの点に関する内容は参照によって本特許出願に組み込まれている。代替方法として、除去するステップは、エッチングによって、またはそれ以外の適切なリフトオフ法によって行うことができる。]
[0037] 窒化物化合物半導体材料は、窒素を含んでいる化合物半導体材料、例えば、材料系ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）からの材料である。薄膜層は、例えば、窒化物化合物半導体材料から成る少なくとも１つの半導体層を有する。]
[0038] 積層体１７の活性領域は、例えば、従来のｐｎ接合、ダブルへテロ構造、単一量子井戸構造（ＳＱＷ構造）、または多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を含んでいることができる。このような構造は当業者には公知であり、したがって、本明細書ではこれ以上詳しくは説明しない。]
[0039] 積層体１７は、その側面領域に、絶縁層として具体化されている絶縁部１２を有し、この絶縁部は、例えばパッシベーション層として具体化されており、構成成分として例えばＳｉＯ２を備えている。さらには、絶縁部１２は、積層体１７に塗布されるレジスト層として具体化することができる。絶縁部１２は、電気絶縁特性を有する、すなわち、特に高い電気抵抗を有することが好ましい。パッシベーション層として具体化される絶縁部１２は、積層体１７の側面領域に直接接触していることができる。代替形態として、積層体１７は、その側面領域に、絶縁積層体として具体化される絶縁部１２を有することができる。この絶縁部は、パッシベーション層に並んで少なくとも１つのさらなる層（例えば、空気層もしくはレジスト層、またはその両方）を有することができ、この層は、例えば積層体１７の側面領域とパッシベーション層との間に配置されている。]
[0040] 積層体１７と基体１１との間には反射性の電気コンタクト構造１８が配置されており、このコンタクト構造は、第１の電気接続領域１３に電気的に結合されている。積層体１７によって放出される電磁放射は、この反射性の電気コンタクト構造１８において反射される。第１の電気接続領域１３は、例えばパッシベーション層として具体化されているさらなる絶縁層１２を介して基体１１の上に形成されている。しかしながら、第１の電気接続領域１３を、さらなる絶縁層１２を省いて基体１１に形成することもできる。]
[0041] 積層体１７は、反射性の電気コンタクト構造１８によって基体１１の上にはんだ付けまたは接着結合されており、基体１１は、電気絶縁性として、すなわち特に高い電気抵抗を有するように具体化されていることが好ましい。しかしながら、代替形態として、反射性の電気コンタクト構造１８と基体との間の電気絶縁性のはんだまたはパッシベーション層によって、積層体１７を基体１１に貼り付けることもできる。]
[0042] 電流分散構造１４は、基体１１とは反対側の積層体１７の表面上に形成されている。この電流分散構造は、一般には、積層体１７の表面上に金属性として形成されており、例えばＡｕまたはＡｇから成る。電流分散構造１４は、一般には、積層体１７の表面上にコンタクトウェブ（contact webs）の形において延在している。コンタクトウェブは、複数の長方形または正方形の輪郭を形成していることが好ましい。特に好ましくは、複数の長方形または正方形それぞれが、少なくとも１つの共通の側縁部（図１には示していない）、特に好ましくは２つの共通の側縁部を有する。特に、コンタクトウェブは、それぞれが共通の頂点を有する複数の正方形もしくは長方形またはその両方の輪郭を形成していることができる。電流分散構造１４は、積層体１７におけるできる限り一様な電流分布を確保する目的で、電流が印加されたときその電流を積層体１７の中に一様に導き入れるように具体化されている。特に、オプトエレクトロニクス部品１０が大面積に（例えば１ｍｍ２以上に）具体化される場合、このような電流分散構造１４によって、オプトエレクトロニクス部品１０それぞれの特に一様な放出特性を達成することが可能である。] 図１
[0043] 反射性の電気コンタクト構造１８に並んで、第２の電気接続領域１６が基体１１の上に形成されており、この第２の電気接続領域は、金属体１５によって電流分散構造１４に電気的に結合されている。金属体１５は、積層体１７の絶縁部１２（例えばパッシベーション層を有する）の少なくとも一領域上に形成されている。しかしながら、代替形態として、絶縁積層体として具体化されている絶縁部１２の少なくとも一領域に金属体１５を形成することもでき、この絶縁部は、例えばパッシベーション層および空気層を有する。金属体１５は、第２の接続領域１６もしくは絶縁部１２、またはその両方に、例えば電解法によって形成する。しかしながら、原理的には、当業者に公知である別の方法を使用して、金属体１５を形成することもできる。この場合、金属体１５は、パッシベーション層として具体化されている絶縁部１２の少なくとも一領域に直接的に形成することができる。しかしながら、少なくとも金属体１５とパッシベーション層との間の領域に、さらなる層（例えば空気層）を配置することも可能である。金属体１５は、一般には、構成成分Ａｕ、Ａｇ、またはＮｉを含んでおり、したがって、低い熱伝導抵抗および低い電気抵抗を有し、これは有利である。金属体１５は、第２の接続領域１６によって基体１１に熱伝導的に結合されている。]
[0044] 第１の電気接続領域１３および第２の電気接続領域１６は、一例として、ステンシルを使用してプリントする、または領域全体の上に塗布した後、フォトリソグラフィによって望ましい形態にパターン化する。第１の電気接続領域１３および第２の電気接続領域１６は、金属または金属化合物から形成されていることが好ましい。第１の電気接続領域１３および第２の電気接続領域１６は、特に、ＡｕまたはＡｇを含んでいる。]
[0045] オプトエレクトロニクス部品１０の動作時に発生する熱は、積層体１７に対して垂直方向に基体１１に放散させることができ、さらに、金属体１５によって積層体１７に対して横方向に基体１１に放散させることができる（矢印１９を参照）。この場合、金属体１５は、オプトエレクトロニクス部品１０の熱放散に関する要求条件それぞれに応じて、より大きな、またはより小さな体積として具体化することができる。特に、高電流用途向けのオプトエレクトロニクス部品１０の場合（例えば、一辺の長さが１ｍｍであり、３Ｖ〜４Ｖの供給電圧で動作するのに例えば１Ａの電流が要求される場合）、発生する熱を基体１１に特に効率的に放散させる目的で、金属体１５は特に大きな体積を有し、大きな面積を通じて第２の接続領域１６に結合する。]
[0046] 反射性の電気コンタクト構造１８および第２の電気接続領域１６は、２つの接続領域の間の短絡を回避できるように、絶縁部１２によって互いに電気的に絶縁されている。]
[0047] オプトエレクトロニクス部品１０は、原理的には、電流分散構造１４が金属体１５によって第２の電気接続領域１６に結合されていないように具体化することもできる。このような実施形態においては、金属体１５は、一般的に、熱放散を目的としてのみ使用され、したがって、特に高い熱放散性が確保されるように基体１１に直接的に形成することもできる。]
[0048] 図２Ａは、金属境界部（metal border）として具体化されている金属体１５を備えている、オプトエレクトロニクス部品１０のさらなる例示的な実施形態を示している。金属境界部は、積層体１７の４つの側面領域すべてに存在しており（図２Ａには左側および右側の側面領域のみを示してある）、金属体１５は、基体１１とは反対側の積層体１７の表面上の電流分散構造１４に電気的に結合されていない。代替形態として、電流分散構造１４をボンディングワイヤ（図示していない）によって第２の電気接続領域１６に電気的に結合することができ、ボンディングワイヤは、例えば、コンタクトウェブによって輪郭が形成されている少なくとも１つの長方形または正方形の頂点に割り当てられる。特に、複数の正方形もしくは長方形またはその両方の共通の頂点にボンディングワイヤを割り当てることができる。金属体１５が積層体１７の複数の側面領域において熱伝導的に接触しているため、基体１１への横方向の熱放散の効率をさらに高めることができ、この場合、金属体１５が第１の電気接続領域１３および第２の電気接続領域１６に同時には電気的に結合されないことに留意されたい。] 図２Ａ
[0049] オプトエレクトロニクス部品１０は、少なくとも１種類の蛍光体を備えている、発光変換層として具体化されている変換層２０ａを備えており、これはさらに有利である。適切な蛍光体の例としては、無機蛍光体、希土類元素（特にＣｅまたはＴｂ）によってドープされたガーネット（基本構造Ａ３Ｂ５Ｏ１２を有することが好ましい）、または有機蛍光体（例えばペリレン蛍光体）が挙げられる。]
[0050] 変換層２０ａは、基体１１とは反対側の積層体１７の表面に、透明な中間層２１によって結合されている。透明な中間層は、一般には、パッシベーション層として具体化されている。透明な中間層２１は、熱伝導性として、すなわち低い熱伝導抵抗を有するように具体化されていることが好ましく、さらには、金属体１５に熱伝導的に結合されている。オプトエレクトロニクス部品１０のこのような実施形態は、特に、紫外線波長範囲内の一次放射の場合に、積層体１７において発生する熱を放散させるのと、一次放射を二次放射に変換するとき変換層２０ａの蛍光体によって発生する熱を基体１１に放散させるのに、特に適している。]
[0051] さらなる有利な例示的な実施形態においては、金属体１５は、積層体１７によって放出される電磁放射の主放出方向に割り当てられている金属体縁部２２において反射効果を有するように、具体化および成形されており、したがって、オプトエレクトロニクス部品１０の放出特性がコントロールされ、これは有利である。]
[0052] 金属体１５は、オプトエレクトロニクス部品１０のハウジングを構成しており、このハウジングには、追加の光学素子もしくは光学層、またはその両方（例えば、光学レンズ、あるいはビーム成形特性を有するカバー層）を形成することができる。]
[0053] 図２Ｂに示した例示的な実施形態においては、一例として、金属体１５に変換セラミック２０ｂが貼り付けられている。変換セラミックは、特に、基材として例えばセラミックを備えているベースプレートであり、基材の中に蛍光体が含まれている。この蛍光体は、第１の波長を有する一次放射を吸収して、第１の波長とは異なるさらなる波長を有する二次放射に変換する。蛍光体としては、一例として、上述した無機蛍光体が適している。] 図２Ｂ
[0054] 図２Ｂの例示的な実施形態においては、金属体１５は、変換セラミック２０ｂの支持キャリアとしての役割を果たしている。さらには、特に、紫外線波長範囲内の一次放射の場合に、一次放射を二次放射に変換するとき変換セラミック２０ｂの蛍光体によって発生する熱を、金属体１５によって基体１１に放散させることができ、これは有利である。] 図２Ｂ
[0055] 変換セラミック２０ｂと積層体１７との間に空気を配置することができる。空気は低い熱伝導率を有し、したがって、変換セラミック２０ｂと積層体１７との間の断熱を得ることが可能である。代替形態として、図２Ａにおける例示的な実施形態に対応する形態において、基体１１とは反対側の積層体１７の表面に、変換層２０ｂを透明な中間層によって結合することができる。] 図２Ａ
[0056] 図２Ｂにおける例示的な実施形態は、残りの要素については、図１における例示的な実施形態に一致している。] 図１ 図２Ｂ
[0057] 図３は、オプトエレクトロニクス部品１０の平面図を示している。このオプトエレクトロニクス部品１０の第１の電気接続領域１３および第２の電気接続領域１６は、基体１１の上に形成されている。第１の電気接続領域１３は、反射性の電気コンタクト構造１８（図示していない）に電気的に結合されている。第２の電気接続領域１６は、電流分散構造１４に金属体１５によって電気的に結合されている。電流分散構造１４は、長方形構造として、基体とは反対側の積層体１７の表面に、例えば電解法によって形成されている。特に、大面積オプトエレクトロニクス部品の場合に、特に一様な放出特性を確保する目的で、長方形として配置されている電流分散構造１４によって電流を積層体１７に特に一様に送り込むことができる。しかしながら、代替形態として、電流分散構造１４を、正方形として配置する、または少なくとも１つの共通の頂点を有する同心の正方形もしくは長方形、またはその両方の形において、配置することもできる。] 図３
[0058] 金属体１５は、３つの側面領域において積層体１７を囲んでおり、したがって、基体１１への特に良好な熱放散を確保している。積層体１７の４つの側面領域すべてにおける境界部も可能である。]
[0059] 図４は、積層体１７と、その上に形成されている電流分散構造１４とを備えているさらなるオプトエレクトロニクス部品１０を示している。図４は、さらなる例示的な実施形態を示しており、この場合、金属体１５は電気めっきによって形成されるのではなく金属マスクとして具体化されており、積層体１７の絶縁部１２に貼り付けられている。金属マスクとして具体化されている金属体１５は、一般には、積層体１７の形状のカットアウトを備えており、積層体１７の絶縁部１２の上に直接的に貼り付ける（例えば、はんだ付けする、または接着結合する）ことができる。金属マスクとして具体化される金属体１５は、積層体１７の１つの側面領域のみが金属体１５によって覆われるように、具体化することができる。しかしながら、２つ以上の側面領域が金属体１５によって覆われるように、金属マスクをリング形状として具体化することもできる。金属マスクとして具体化されている金属体１５を貼り付ける方式は、特に、金属マスクが積層体１７の形状の複数のカットアウトを有しており、したがって、例えば共通の基体１１の上のオプトエレクトロニクス部品１０の積層体１７の集合体に金属体１５を設ける場合に、有利である。オプトエレクトロニクス部品のこのような製造は、特にコスト効率が高い。] 図４
[0060] さらなる例示的な実施形態においては、第１の電気接続領域１３が、非反射性の電気コンタクト構造１８によって、積層体のうち基体１１に割り当てられている面に結合されているように、オプトエレクトロニクス部品１０を具体化することができる。さらには、基体１１を、積層体１７の領域（図４における破線）において透明とする（例えばガラスを備えている）、または、積層体１７の形状のカットアウトを有するように具体化することができ、したがって、オプトエレクトロニクス部品１０は、基体１１とは反対側の放出方向に電磁放射を放出し、かつ、基体１１の側の放出方向に放出する。オプトエレクトロニクス部品１０のこのような実施形態では、金属体１５によって熱が横方向に基体１１に放散されることも確保される。] 図４
[0061] 図５は、基体１１の上の複数のオプトエレクトロニクス部品１０の集合体の平面図を示している。図示したオプトエレクトロニクス部品１０のそれぞれは、第１の電気接続領域１３および第２の電気接続領域１６を備えている。要求条件に応じて、個々のオプトエレクトロニクス部品１０を電気的に相互接続する（例えば直列回路とする）ことができる。オプトエレクトロニクス部品１０それぞれの電気コンタクト接続は、例えばフォトリソグラフィ法によって行うことができる。また、オプトエレクトロニクス部品１０の集合体の積層体１７すべてのための複数のカットアウトを備えている金属マスクとして、金属体１５を具体化することも考えられる。] 図５
[0062] オプトエレクトロニクス部品１０のそれぞれは、絶縁層として、または絶縁積層体として具体化されている絶縁部１２における金属体１５を備えている。個々のオプトエレクトロニクス部品１０をこのような具体化することによって、オプトエレクトロニクス部品１０それぞれの必要な面積が特に小さく、結果として、所定の基体１１の上の部品の密度を特に高く具体化することができる。しかしながら、原理的には、金属体１５を積層体１７の周りのリング形状として具体化することもできる。]
[0063] 図５に示したオプトエレクトロニクス部品１０は、長方形として具体化されている。しかしながら、オプトエレクトロニクス部品１０の別の形状（例えば、六角形、円形）も考えられる。特に、最適な熱放散もしくは基体１１の所定のエリアの最適な利用、またはその両方に関して、どの形状に形成するのが最も適しているかを決定する必要がある。] 図５
[0064] さらには、図５に示したオプトエレクトロニクス部品１０の集合体には、追加の電子部品（例えばキャパシタ、抵抗器、インダクタンスのうちの１つ以上）を設けることができる。これら追加の電子部品は、オプトエレクトロニクス部品を駆動する（例えば、電流を制限する、明るさを制御する）ための所定の回路構成が形成されるように配置することができる。] 図５

权利要求:

請求項1
少なくとも１つの金属体（１５）と積層体（１７）とを備えているオプトエレクトロニクス部品（１０）であって、前記積層体（１７）が、基体（１１）の上に貼り付けられており、電磁放射を放出するように具体化されており、少なくとも１つの側面領域に絶縁部（１２）が形成されており、前記少なくとも１つの金属体（１５）が、前記絶縁部（１２）の少なくとも一領域に形成されており、自身が前記基体（１１）に熱伝導的に接触しているように具体化されている、オプトエレクトロニクス部品（１０）。
請求項2
前記絶縁部（１２）が、絶縁層として、または絶縁積層体として具体化されている、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
請求項3
前記絶縁層または前記絶縁積層体が、パッシベーション層もしくは少なくとも１つの空気層、またはその両方を有する、請求項２に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
請求項4
前記少なくとも１つの金属体（１５）が金属マスク（４０）として具体化されている、請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
請求項5
前記少なくとも１つの金属体（１５）が電解法によって作製されている、請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
請求項6
前記基体（１１）とは反対側の前記積層体（１７）の表面、の少なくとも一領域に、電流分散構造（１４）が形成されている、請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
請求項7
前記少なくとも１つの金属体（１５）が、前記電流分散構造（１４）と、前記オプトエレクトロニクス部品（１０）との電気接続を形成する電気接続領域（１６）とに、導電接触している、請求項６に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
請求項8
前記基体（１１）が、セラミック体として、不動態化されたシリコンボディとして、または不動態化された金属体として、具体化されている、請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
請求項9
前記少なくとも１つの金属体（１５）が、構成成分Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉのうちの少なくとも１つを備えている、請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
請求項10
前記少なくとも１つの金属体（１５）が、前記電磁放射を所定の放出方向に反射する反射器として具体化されている、請求項１から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
請求項11
少なくとも１種類の蛍光体を備えている変換層（２０ａ）であって、前記基体（１１）とは反対側の前記積層体（１７）の表面、の少なくとも一領域上に形成されており、かつ、前記少なくとも１つの金属体（１５）に熱伝導的に接触している、前記変換層、を備えている、請求項１から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
請求項12
少なくとも１種類の蛍光体を備えている変換セラミック（２０ｂ）であって、前記基体（１１）とは反対側の前記金属体（１５）の表面、の少なくとも一領域上に貼り付けられており、かつ、前記少なくとも１つの金属体（１５）に熱伝導的に接触している、前記変換セラミック、を備えている、請求項１から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。